▶ 全部真空内完成

 

 

▶ 系统核心难点

1、多工艺设备技术储备

•PVD（电子束蒸发、磁控溅射、ALD）

•刻蚀（去胶刻蚀RIE、介质刻蚀ICP-RIE、远程等离子刻蚀）

•快速退火（HTE）、预处理

2、基片在真空系统内翻转

3、工艺面向下时基片传输和夹取

4、各个不同工艺之间的衔接

5、控制系统的算法

 

 

▶ Cluster功能腔设计

栅介质工艺模组 接触工艺模组

Degas腔体：用于薄膜生长前,去 除表面杂质与水汽；

seeding腔体：ebe腔体，用于SiO2以及Al2O3蒸镀；

Wafer翻转腔体：用于翻转wafer；

ALD1腔体：用于生长HfO2薄膜；

ALD2腔体：用于生长HfO2薄膜；

ALD3腔体：用于生长Al2O3薄膜；

退火腔体：用于seeding退火以及后续介质后退火。

Degas腔体：去除表面杂质与水汽；

金属1腔体：远程弱等离子体处 理+金属阻蒸；

金属2腔体：远程弱等离子体处 理+金属阻蒸；

金属3腔体：ebe+阻蒸；

Wafer翻转腔体：翻转wafer；

蚀刻腔体：蚀刻介质+二维材料；

退火腔体：器件退火，可选普通 退火或者快速退火(大于100℃/S)。

 

 

▶ 技术储备